► Programme complet et l’essentiel des contenus (en Français)

► Program & contents (in English)

L’électronique de puissance couvre un vaste champ d’applications de l’électronique personnelle à l’électrification des transports privés et collectifs. Le nitrure de gallium (GaN) et d’autres matériaux à large bande interdite peuvent réduire considérablement les pertes d’énergie occasionnées par les transformations de tension. Pour la gamme 100-650 V, les technologies GaN-sur-silicium (GaN/Si) complètent les possibilités actuelles des composants en carbure de silicium et silicium. Elles permettent d’envisager des systèmes de conversion compacts, efficaces et à faible coût, dimensionnés pour accompagner les différents besoins de l’électrification de la société.

Powergan : vers une filière française

Séminaire, le 15 mars 2022 de 9h à 17h

A l’heure ou la maturité technologique est enfin suffisante pour garantir les conditions d’une industrialisation, les IRT Nanoelec (*) et Saint-Exupéry et l’lTE Vedecom ont réuni l’ensemble de la communauté académique et industrielle du GaN, pour échanger sur les thèmes suivants :

• Structuration d’une filière à l’initiative de STMicroelectronics et des apports du programme dédié de l’IRT Nanoelec.
• Perspectives applicatives et enjeux de R&D
•  Initiatives institutionnelles.

(*) Sur la période 2017-2021, le programme de R&D de l’IRT Nanoelec dédié au Gan contribue à la structuration de la chaîne de valeur nationale du GaN avec une stratégie de recherche basée sur des dispositifs de puissance GaN/Si disruptifs en terme d’innovation, utilisant la technologie 200 mm et des outils et techniques de co-conception de convertisseurs de puissance compatibles GaN. Le programme se prolonge par le transfert de technologie transistor 650 V vers STMicroelectronics et la mise au point d’une preuve de concept pour un jumeau numérique dédié aux composants GaN.