Mise au point d’un procédé technologique de contact ohmique basse résistivité compatible avec le silicium

Dans le cadre du programme Photonique de  l’IRT Nanoelec et afin de proposer des contacts compatibles avec une plateforme silicium, des procédés conduisant au dépôt d’alliages à base de nickel ont été développés. En particulier, l’obtention d’un alliage de Ni2P par abrasion plasma d’une cible alliée a été démontrée. Ces procédés ont ensuite été employés pour réaliser des contacts sur n-InP et p-InGaAs dans des structures de tests électriques. Les valeurs de résistivité de contact obtenues sont en dessous de la valeur cible et confortent le choix de ces matériaux pour remplacer avantageusement les contacts à base de métaux nobles classiquement utilisés pour contacter les Laser III-V.