L’IRT Nanoelec et le CMP (Circuits Multi projets) ont signé un accord de collaboration sur la fabrication de circuits photoniques sur silicium. Cette initiative est une première mondiale dans ce domaine.
Les circuits photoniques sur silicium seront fabriqués sur des substrats silicium SOI de diamètre 200mm avec une couche de silicium de 310nm sur laquelle seront réalisés les dispositifs.
L’intérêt majeur de cette collaboration sera de fabriquer des composants miniaturisés et de haute densité avec des coûts de fabrication maitrisés.
Ces circuits répondront aux demandes et aux nouveaux besoins de commutation optique dans les centres de calculs et pour l’ensemble des nouveaux marchés qui exigeront de la vitesse et de la capacité élevée de calcul.
En plus de la fabrication des plaques, le projet MPW inclus également la fourniture des kit de design (incluant les techniques de simulation et vérification) ainsi que la prise en compte de nouvelles briques technologiques comme les modules d’intégration 3D.