STMicroelectronics et le CEA-Leti ont annoncé officiellement leur collaboration dans le cadre du programme PowerGaN de l’IRT Nanoelec qui réunit également Schneider Electric et qui vise à industrialiser à terme la fabrication de composants de puissance à base de GaN sur silicium.
Cette technologie permettra de répondre aux demandes de composants de puissance pour les applications forte puissance et forte énergie dans les domaines de l’automobile notamment.
Le transfert de la technologie s’effectuera vers les lignes de production 200mm de ST avec un objectif de sortie de composants industriels d’ici 2020.