Dans deux articles présentés à la conférence IEDM 2020, des chercheurs de l’Université Grenoble-Alpes, du CEA-Leti, de STMicroelectronics réunis dans le programme Nanoelec / Powergan, avec leurs collègues de l’Université de Padoue (Italie) rapportent leurs récentes études des variations de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) sur nitrure de gallium sur silicium.
