L’IRT Nanoelec, à travers son programme d’intégration 3D, a réalisé un interposeur silicium actif en technologie 65nm à haute performance de communication. Cet interposeur intègre la gestion de la consommation pour intégration flexible et à fort potentiel de diminution des dimensions de systèmes multicoeurs. De nombreuses briques technologiques au niveau design notamment ont été intégrées.
Le circuit multi-cœur 3D INTACT (projet IRT3D) est composé de 6 chiplets en 28FDSOI, qui sont assemblés en 3D sur un interposeur actif en 65nm : la conception du circuit interposer 65nm est terminée, le circuit a été envoyé à ST – Crolles pour fabrication des masques et lancement de la fabrication.
Dans le contexte des architectures multi-cœur, visant les applications de type serveurs/micro-serveurs (domaine de l’HPC), ou offrant des accélérateurs matériels (domaine de l’embarqué), le besoin de performances imposent de concevoir des circuits de plus en plus scalable en nombre de cœurs, avec des circuits de plus en plus grands en surface, au détriment des rendements de fabrication. Le partitionnement du circuit en 3D, à base d’interposeur actif permet de : i) diviser le circuit en chiplets homogènes, pour gagner en complexité tout en préservant les rendements; ii) d’apporter des fonctionnalités avancées dans l’interposeur actif telles que la gestion de l’alimentation et des infrastructures de communication inter-circuit.
