Croissance de III-As, Sb, P sur Si(100) 300 mm pour l’intégration dans des dispositifs nano/optoélectroniques

La croissance de matériaux III-As, III-Sb et III-P sur des plaquettes Si(100) de 300 mm ouvre la voie à l’intégration de dispositifs nano- et opto-électroniques sur silicium. En combinant les propriétés électroniques et optiques des composés III-V avec la scalabilité des technologies Si, il devient possible de développer des dispositifs performants pour la photonique, les technologies quantiques et l’électronique avancée. Nos travaux portent sur le contrôle des défauts, la gestion des contraintes liées au désaccord de réseau cristallin et l’uniformité sur grande surface, afin de permettre l’intégration des III-V dans des démonstrateurs de type émetteurs et photodétecteurs compatibles avec les technologies microélectroniques avancées. Développements menés par le CNRS et le CEA-Leti dans le cadre du programme Photonic Sensors de l’IRT Nanoelec.