12/08/2021 - Gravure haut précision pour les composants Gan et les matériaux associés

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David Haynes, directeur général et responsable de la stratégie des technologies spécialisées chez Lam (c) DR

Grâce à un partenariat avec Nanoelec, Lam Research, l’un des principaux fournisseurs américains d’équipements de traitement de semi-conducteurs, développe un procédé de gravure processus pour la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs GaN. Le procédé de gravure de couches atomiques (dit ALE) permet d’atteindre une grande précision à l’échelle atomique ainsi que de faibles facteurs d’endommagement du matériau gravé. Les développement sont réalisés avec des équipements Lam installés au CEA-Leti et utilisant des substrats et des capacités d’analyse fournis par Nanoelec et le CEA-Leti. Les explications (en anglais) de David Haynes, directeur général et responsable de la stratégie des technologies de spécialité chez Lam : lire ici